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Elektronik und Systemintegration

High-Current 800 V Ultra-Low Inductive Power Module with SiC MOSFETs on Insulated Metal Substrates

Autoren

Bernhard Jahn
Prof. Dr. Alexander Kleimaier
Alexander.Kleimaier@haw-landshut.de

Medien

PCIM Europe Nuremberg, May 2025 ; Conference Paper, Proceedings PP 1800 - 1807

Veröffentlichungsjahr

2025

Herausgeber

PCIM Conference 2025

Veröffentlichungsart

Konferenzbeitrag (peer reviewed)

Forschungsprojekt

uniVerSUm

DOI

https://doi.org/10.30420/566541237

Zitierung

Jahn, Bernhard; Kleimaier, Alexander (2025): High-Current 800 V Ultra-Low Inductive Power Module with SiC MOSFETs on Insulated Metal Substrates. PCIM Europe Nuremberg, May 2025 ; Conference Paper, Proceedings PP 1800 - 1807. DOI: 10.30420/566541237

Peer Reviewed

Ja

Elektronik und Systemintegration

High-Current 800 V Ultra-Low Inductive Power Module with SiC MOSFETs on Insulated Metal Substrates