In diesem Beitrag wird ein auf GaN basierendes 3-Level Flying-Capacitor Leistungs-modul mit 5-lagen AMB-Substrat vorgestellt. Ein besonderer Fokus liegt auf der nie-derinduktiven Aufbautechnik der Kommutierungskreise mit einer internen Masseflä-che. Ein modulares Gesamtsystem mit Stromregelung und aktiver Regelung der flie-genden Kondensatorspannung wurde erfolgreich entwickelt und aufgebaut. Messun-gen bestätigen Schleifeninduktivitäten im unteren einstelligen Nanohenrybereich. Dop-pelpulstests an 800 V mit 100 A zeigen ein sauberes Schaltverhalten. Erste Tests auf Gesamtsystemebene im geregelten Buck-Betrieb an einer Zwischenkreisspannung von 800 V mit einem Ausgangsstrom von 10 A wurden erfolgreich durchgeführt.