Der Einsatz von Wide-Bandgaphalbleitern in Wechselrichtern für die Elektromobilität verspricht eine Reichweitenvergrößerung durch Effizienzgewinn im Antriebsstrang von Kfz und Nfz, stellt aber auch deutlich höhere Ansprüche an die Aufbau- und Verbindungstechnik der Leistungsmodule. Insbesondere die Kommutierungskreisinduktivität muss deutlich verringert werden. Im Projekt uniVerSUm sollen dazu unterschiedliche Aufbautechnologien untersucht und verglichen werden, welche den Einsatz gehäuster Bauelemente mit Automotivespezifikation erlauben. Ansatz ist die Integration des kompletten Zwischenkreiskondensators in die Module. Als Referenz dient ein ultraniederinduktives Leistungsmodul mit gebondeten Bare-Dies auf einem 5-Lagen-AMB-Substrat aus einem Vorgängerprojekt, dessen Kommutierungskreisinduktivität nur 1,2 nH beträgt. Lassen sich unter Einsatz gehäuster Halbleiter ähnlich gute Schalteigenschaften erreichen, würde das den zukünftigen Entwicklungsaufwand deutlich reduzieren und entsprechende Markeintrittshürden vermeiden, da diese Technologie einfacher und vor allem schneller zu beherrschen wäre.